半导体表面

作品数：76被引量：47H指数：3
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研究单原子分子表面扩散运动的时域隧穿电流谱方法
《物理》2005年第10期714-717,共4页王克东 张春 雷明徳 肖旭东 
香港William Mong Solid State Clusters Laboratory;Research Grants Council of Hong Kong资助项目
以单个Cu原子在Si(111)(7×7)层错半单元(FHUC)内的随机扩散运动研究为例,演示了一种新的可以测量快速扩散运动的扫描隧道显微镜方法──时域隧穿电流谱方法.运用这种方法可定量地检测纳米局域区间内单原子分子的表面扩散运动,跳跃频率...
关键词：半导体表面 表面热力学 扩散 扫描隧道显微镜 扩散运动 隧穿电流 分子表面 谱方法 单原子 时域 
金属在半导体表面上的吸附被引量：1
《物理》1992年第11期641-646,共6页谢希德 资剑 
对近年来金属在半导体表面上吸附的理论和实验进展进行了评论．着重讨论了亚单层覆盖体系申存在的争议之处及最新进展．贵金属在Ｓｉ（１１１）表面上的吸附，情况相当复杂．例如对 Ａｇ／Ｓｉ（１１１），虽然理论和实验上提出了许多...
关键词：半导体-金属 界面 吸附 硅 砷化镓 
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