半导体光电子器件

作品数:33被引量:29H指数:3
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:乔忠良薄报学高欣关宝璐王俊更多>>
相关机构:中国科学院北京工业大学长春理工大学中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
相关期刊:《中国科技成果》《中国材料进展》《中国照明》《光仪技术》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 基金=国家重点基础研究发展计划x
条 记 录,以下是1-2
视图:
排序:
Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究
《中国科技成果》2015年第21期31-31,35,共2页
国家重点基础研究发展计划(973)项目(2011CB302000).
项目通过氧化锌晶体基片研制、Ⅱ族氧化物半导体外延薄膜的表面界面工程、外延生长与极化效应研究、杂质调控、以及新型激光微腔设计,最终实现基于Ⅱ族氧化物半导体的低阈值激光器件和紫外光电探测器件。项目已经能够生长出50mm直径Zn...
关键词:氧化物半导体 半导体光电子器件 基础研究 晶体基片 光电探测器件 外延生长 激光器件 ZNO单晶 
支撑光网络发展的硅基光电子技术研究被引量:4
《物理》2003年第12期810-815,共6页余金中 
国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 69990 5 40 );国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 -0 3 -66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 60 )资助项目
作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术 ,硅基光电子技术越来越受到重视 .文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果 :采用自行设计的UHV/CVD系统 ,成功...
关键词:全光网络 集成电路 半导体光电子器件 锗化硅/硅量子结构 量子阱 光电探测器 耦合器 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部