半导体膜

作品数：47被引量：33H指数：3
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CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响被引量：7
《Journal of Semiconductors》2000年第3期225-231,共7页额尔敦朝鲁 肖景林 李树深 
国家自然科学基金!(批准号 :6973 60 1 0 );中国科学院激发态物理开放研究实验室科学基金
采用改进的 Huybrechts线性组合算符和变分方法 ,研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响 ,得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律 .对 Cd F2 半导体 。
关键词：电子-声子耦合 极化子 CdF2 半导体薄膜 
淀积参数对ITO膜电阻率的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第3期160-165,共6页张怀武 许武毅 过壁君 
本文研究了基体偏压、氧分压强和淀积后退火对ITO膜电阻率的影响,通过比较理论结果和实验结果,弄清了这几个参数影响ITO膜电阻率的机理,并确定出最佳镀制参数。
关键词：半导体膜 氧化铟锡 电阻率 淀积 
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