半导体纳米线

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Sn掺杂ZnO半导体纳米线的制备、表征及光学性能
《材料导报(纳米与新材料专辑)》2011年第2期88-90,共3页郭佳林 常永勤 王明文 陆映东 王彪 龙毅 
新世纪优秀人才支持计划(NCET-07-0065);北京市自然科学基金(1092014);北京市科技新星计划(2006A18)
采用化学气相沉积法获得了Sn掺杂含量约为2.4%(原子分数)的Sn掺杂ZnO半导体纳米线。X射线衍射结果表明,Sn的掺杂并没有改变ZnO的纤锌矿结构。掺杂纳米线的室温光致发光光谱在409.2nm和498.0nm处出现了蓝绿光发光峰。探讨了其发光机制,...
关键词:Sn掺杂 ZNO纳米线 光致发光 发光机制 CVD 
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