半导体碳纳米管

作品数：28被引量：8H指数：2
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高纯度半导体碳纳米管制造成功晶体管
《现代材料动态》2008年第8期22-23,共2页
日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。
关键词：半导体碳纳米管 晶体管 日本产业技术综合研究所 纯度 制造 单层碳纳米管 载流子迁移率 漏极电流 
信息参考——科技信息
《现代材料动态》2004年第2期23-27,共5页
关键词：半导体碳纳米管 信息存储材料 掺氮硅单晶 发光敏晶体管 电接触材料 
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