半导体探测器

作品数：251被引量：507H指数：10
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相关作者：谭延亮袁红志欧阳晓平李正刘曼文更多>>
相关机构：清华大学中国科学院西北核技术研究所中国工程物理研究院更多>>
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氧化镓半导体核辐射探测器研究现状被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期1-19,共19页周磊簜 陈亮 卢星 欧阳晓平 
国家自然科学基金资助项目(11505140)。
超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有击穿电场强度、本征载流子浓度低和抗辐照性能良好等特性,且易于商业化生产,是在高性能核辐射探测器领域中应用的研究热点。本文介绍了Ga_(2)O_(3)半导体材料的物理特性、制备方法和器件类型;简述...
关键词：超宽禁带半导体 Ga_(2)O_(3) 半导体探测器 辐射测量 
CVD金刚石薄膜探测器对γ射线响应的电荷收集效率测量方法被引量：2
《现代应用物理》2013年第4期307-312,共6页雷岚 欧阳晓平 夏良斌 谭新建 张小东 
国家自然科学基金资助项目(No.10675074;No.11275153;No.11175142)
理论研究发现,在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片,可以有效过滤探测系统中散射电子,准确测定探测器对γ射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100%的Si-PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准,建立...
关键词：金刚石薄膜 半导体探测器 电荷收集效率 辐射测量 化学气相沉积 
电流型GaN辐射探测器研制被引量：1
《现代应用物理》2013年第4期319-322,共4页刘洋 苏春磊 欧阳晓平 宋晓靓 马燕 余小任 
中央高校基本科研业务费专项资金资助(No.12QN25)
采用大面积半绝缘型GaN(semi-insulting GaN,SI-GaN)晶体制备了电流型GaN辐射探测器,研究了探测器伏安(I-V)特性、γ射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明,晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触,探测器在6...
关键词：半绝缘型GaN 半导体探测器 电荷收集效率 
一种0.3～0.4 THz高功率脉冲探测器模型研究
《现代应用物理》2013年第1期-,共6页王雪锋 王建国 王光强 童长江 李爽 李勇 
国家自然科学基金资助项目
利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4 THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出...
关键词：高功率 太赫兹 半导体探测器 灵敏度 
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