本征吸杂

作品数：8被引量：1H指数：1
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相关机构：中国科学院上海冶金研究所重庆光电技术研究所电子工业部MEMC电子材料有限公司更多>>
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消除CCD不良背景的工艺研究被引量：1
《半导体光电》2008年第3期387-389,共3页李平 郑杏平 李仁豪 雷仁方 许宏 韩恒利 陈捷 张故万 汪琳 
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成...
关键词：电荷耦合器件 不良背景 栅介质 本征吸杂 低温退火 
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