氮化硅晶须

作品数：16被引量：37H指数：4
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相关领域：化学工程理学更多>>
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氮化硅晶须显微结构的研究被引量：4
《电子显微学报》1994年第2期90-94,共5页周延春 常昕 周敬 陈声崎 夏非 
国家自然科学基金
利用透射电子显微镜对气固相法制备的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的显微结构进行了研究。实验发现α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须具有何（１０１０），（１０１１）和［０００１］三个生长方向，并且α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须中...
关键词：晶须 显微结构 缺陷 氮化硅 电子显微镜 
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