氮化硅晶须

作品数：16被引量：37H指数：4
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氮化硅晶须骨架增强环氧复合材料导热与介电性能
《中国电机工程学报》2024年第23期9475-9483,I0031,共10页刘大猷 黄彦卓 刘怀东 杨航 金海云 
国家自然科学基金项目(52272073)。
含有高导热系数的环氧树脂复合材料在电子封装和电气设备领域具有广泛的应用前景,但复合材料导热性能的提升往往伴随介电性能的劣化。该文旨在解决环氧复合材料热性能与介电性能之间的矛盾。以氮化硅晶须(Si_(3)N_(4w))和气相二氧化硅(S...
关键词：环氧复合材料 氮化硅晶须骨架 热性能 介电性能 
氮化硅晶须/氮化铝颗粒/聚酰亚胺复合材料的制备及性能被引量：3
《粉末冶金材料科学与工程》2021年第3期250-256,共7页吴运香 雷霆 高纪明 杨阳 
湖南省自然科学基金资助项目(2020JJ4951)。
高导热聚酰亚胺复合材料因具有良好的综合性能,在集成电子电路、航空航天等领域具有较好的发展前景。采用导热系数较高的氮化硅晶须和氮化铝颗粒作为无机填料,用钛酸酯偶联剂进行表面改性,原位合成氮化硅晶须/氮化铝颗粒聚酰亚胺(AlN/Si...
关键词：聚酰亚胺 氮化硅 氮化铝 导热性 复合材料 
氮化硅晶须表面化学镀镍及应用研究被引量：2
《表面技术》2011年第3期36-39,共4页彭进 郝德辉 邹文俊 董企铭 朱俊芳 
河南省杰出人才创新基金项目(0621001200)
采用化学镀方法在α-Si3N4晶须表面镀覆了一层均匀的镍镀层,以保护氮化硅晶须在增强增韧复合材料时不被破坏。考察了温度、时间和pH值等对镀层增重和微观结构的影响;采用差热-热重分析(DTA),XRD,SEM及EDS对化学镀后的α-Si3N4晶须进行...
关键词：Si3N4晶须 化学镀镍 镍镀层 
硅烷偶联剂对SP1 SiO_2、α-Si_3N_4及其熔附体表面修饰作用的研究
《口腔医学研究》2009年第3期285-287,共3页李保泉 张颖丽 张凯 孙宏晨 杨柏 
吉林大学创新基金项目(编号:2002-87);吉林省科技发展计划项目(编号:20060510)
目的:研究γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(γ-MPS)对SP1SiO2、α-Si3N4及α-Si3N4～SP1SiO2熔附体无机填料表面的修饰作用。方法:1)用醋酸乙醇(95%)水溶液(pH4.5～5.5)水解γ-MPS,制备成浓度为25%的水解液(Wt%);2)3种无机填料在环己...
关键词：硅烷偶联剂 无机填料 复合树脂 α-氮化硅晶须 多微孔纳米二氧化硅粒子 
氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响被引量：4
《功能材料》2009年第1期109-111,共3页胡汉军 周万城 李坊森 罗发 朱冬梅 徐洁 
国家自然科学基金资助项目(90305016)
以硅粉和氮化硅晶须为原料,通过添加30%(质量分数)成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用干压成型工艺,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响。实验结果表明,随着氮化硅晶须加...
关键词：多孔氮化硅 氮化硅晶须 成孔剂 介电 
氮化硅晶须结构性能研究及其应用现状被引量：1
《江苏陶瓷》2007年第6期1-2,5,共3页李甫 
在介绍晶须生长机制的基础上分析了氮化硅结构特点、物化性能,简单介绍了氮化硅的制备方法,较详细阐述了其作为复合材料的应用现状,最后对其今后的发展方向做了展望。
关键词：氮化硅晶须 结构及性能 制备方法 应用现状 
氮化硅晶须结构的性能研究及其应用现状
《佛山陶瓷》2007年第9期32-34,共3页李甫 
本文在介绍晶须生长机制的基础上分析了氮化硅晶须的结构特点及物化性能,并简单介绍了氮化硅的制备方法,阐述了其作为复合材料的应用现状,并对其发展方向作了展望。
关键词：氮化硅晶须 结构性能 制备方法 应用现状 
熔附条件对牙科复合树脂中α-Si_3N_4结构及形态影响研究
《现代口腔医学杂志》2007年第3期311-312,286,共3页李保泉 张颖丽 孙宏晨 杨柏 
目的研究熔附温度和熔附时间对α-氮化硅晶须(α-Si3N4)结构及形态的影响。方法将α-Si3N4以250℃/h的升、降温速度升分别至500℃、650℃、800℃、950℃和1100℃并分别保持10min、30min和3h制作试样,进行结构及形态测试。结果α-Si3N4...
关键词：α-氮化硅晶须 熔附条件 结构 形态 
含有α-氮化硅晶须的氮化硅流延浆料的制备被引量：4
《硅酸盐通报》2007年第2期273-276,331,共5页毕玉惠 李君 陈斐 张东明 沈强 张联盟 
通过分析粘度、ζ-电位等参数,研究烧结助剂、分散剂、粘结剂等对含有α-氮化硅晶须陶瓷浆料的粘度的影响,并确定了最佳的工艺参数。结果发现:Si3N4悬浮粒子的等电点在pH=4.3,其最佳的ζ-电位在pH=11附近。分散剂的引入有效地提高悬浮...
关键词：SI3N4 粘度 分散剂 ζ-电位 
氮化硅晶须的研究现状被引量：5
《化工新型材料》2005年第6期9-11,共3页王焕磊 王伟 王金亮 
介绍了晶须的生长机理、氮化硅晶须的制备方法以及影响其生长的因素。阐述了氮化硅晶须增强复合材料的现状,指出加强晶须的基础研究,改进制备技术和降低成本是今后的发展方向。
关键词：氮化硅晶须 生长机理 制备方法 生产成本 影响因素 温度 添加剂 气氛选择 液相 
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