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PINCH-OFF: 作品数：8被引量：5H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李思渊胡冬青王永顺刘肃丁航更多>>; 相关机构：兰州大学北京大学中国科学技术大学更多>>; 相关期刊：《Acta Mechanica Sinica》《Chinese Physics B》《Journal of Semiconductors》《Fluid Dynamics & Materials Processing》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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Influence of Device Narrowing on HALO-pMOSFETs' Degradation Under V_g= V_d/2 Stress Mode: 《Journal of Semiconductors》2003年第12期1255-1260,共6页胡靖赵要许铭真谭长华; 国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 )~~; The degradation characteristics of both wide and narrow devices under V _g= V _d/2 stress mode is investigated.The width-enhanced device degradation can be seen with devices narrowing.The main degradation mechanism is...; 关键词：width-enhanced degradation pinch-off voltage current-crowding effect