云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- P阱

P阱: 作品数：13被引量：7H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：徐跃陈亮秦玉香杨冰杨银堂更多>>; 相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司南京邮电大学上海华力微电子有限公司天津大学更多>>; 相关期刊：《电子质量》《测试技术学报》《中国设备工程》《电子产品世界》更多>>; 相关基金：国家高技术研究发展计划更多>>

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3200 V双p阱终端VDMOS击穿特性仿真研究: 《半导体光电》2023年第6期837-844,共8页李尧王爱玲王奋强蓝俊牛瑞霞张鹏杰张栩莹吴回州刘良朋; 国家自然科学基金项目(61905102);甘肃省自然科学基金项目(20JR5RA385);甘肃省教育厅创新能力提升项目(2019A-035)。; 基于场限环终端技术理论,提出了一种具有双p阱结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。通过数值模拟软件分别仿真了p阱各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系,提取器件击穿时的表面电场并分析其击穿机理。研究结果表...; 关键词：VDMOS P阱漂移区掺杂浓度击穿电压表面电场分布