SDB

作品数：169被引量：194H指数：7
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1000V／20A　IGBT的研制
《半导体技术》1995年第3期52-54,58,共4页卓伟 刘光廷 张国忠 
介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需ＮＮ￣＋Ｐ￣－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。
关键词：MOS SDB 设计 测试 双极 复合功率器 
硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究被引量：4
《半导体技术》1990年第5期48-50,47,共4页詹娟 刘光廷 孔德平 
本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度...
关键词：功率晶体管 直接键合 SDB 硅/硅 
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