SI-GAAS材料

作品数：7被引量：3H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：齐德格赖占平李光平汝琼娜何秀坤更多>>
相关机构：电子科技大学电子工业部中华人民共和国工业和信息化部中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《强激光与粒子束》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：“九五”国家科技攻关计划陕西省自然科学基金国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SI-GaAs材料的电学补偿被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第11期999-1003,共5页赖占平 齐德格 高瑞良 杜庚娜 刘晏凤 刘建宁 
"九五"攻关项目
研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度...
关键词：SI-GAAS材料 电学补偿 砷化镓 半导体材料 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部