SI-SIO2

作品数：9被引量：11H指数：2
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等离子过程引起的Si－SiO_2结构损伤评估被引量：1
《半导体技术》1994年第2期42-45,50,共5页马宏 涂继云 
本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ＿２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。
关键词：等离子过程 SI-SIO2 结构损伤 
等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响
《半导体技术》1990年第4期45-46,共2页蔡跃明 吕世骥 
本文研究了等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响。结果表明,Si-SiO_2结构经等离子体氢处理后,其界面特性变差。
关键词：SI-SIO2 等离子体氢 结构 
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