SI-SIO2

作品数:9被引量:11H指数:2
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:刘昶时张联齐赵斌彭庆文王志发更多>>
相关机构:中国科学院河北理工大学中国电子科技集团公司第十八研究所中国华晶电子集团公司更多>>
相关期刊:《半导体技术》《核技术》《微电子学与计算机》《Optics and Photonics Journal》更多>>
相关基金:国家自然科学基金唐山市科技局资助项目更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=核技术x
条 记 录,以下是1-1
视图:
排序:
电离辐照Si-SiO_2的电子能谱深度剖析被引量:5
《核技术》1990年第10期589-593,共5页刘昶时 吾勤之 张玲珊 
中国科学院青年奖励基金
应用灵敏的电子能谱分析技术,对经电离辐射辐照的Si-SiO_2结构进行深度剖析。实验结果表明:存在于Si-SiO_2中的界面区,在电离辐射的作用下向SiO_2表面方向展宽,界面中心向SiO_2表面方向移动。展宽与偏移的程度与辐照条件紧密相关。文中...
关键词:SI-SIO2 XPS AES 电离 辐照 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部