SI-SIO2

作品数：9被引量：11H指数：2
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电离辐照与界面态被引量：3
《微电子学与计算机》1989年第12期11-15,共5页宋钦岐 
本文详细介绍电离辐照在Si—SiO_2界面产生的界面态。通过对铝栅和硅栅MOS器件辐照产生的界面态与时间和偏压之关系的研究,发现存在三种类型的界面态,即缓慢建立的、快速建立的和瞬时建立的界面态,并用已经报道的模型对这些界面态产生...
关键词：电离辐照 界面态 MOS器件 SI-SIO2 
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