SIC材料

作品数：114被引量：361H指数：8
导出分析报告
相关领域：化学工程电子电信更多>>
相关作者：王庆李楠李杰黄志刚曹会彦更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院东北大学中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金博士科研启动基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺被引量：1
《半导体技术》2014年第8期600-604,共5页闫锐 李亮 默江辉 崔玉兴 付兴昌 
介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最...
关键词：SiC ICP-RIE 浅槽刻蚀 表面粗糙度 刻蚀倾角 
SiC材料与器件被引量：4
《半导体技术》1995年第5期33-40,共8页彭军 
ＳｉＣ材料在用作特殊的高温大功率和高速器件方面引起关注是由于它独特的物理和电学性质。本文介绍了ＳｉＣ的基本特性，ＳｉＣ薄膜的ＣＶＤ法和溅射法生长技术，详细地报导和讨论了ＳｉＣ器件的最新进展，并指出存在的问题及发展趋势。
关键词：碳化硅材料 CVD生长技术 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部