SIF

作品数：300被引量：564H指数：10
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Studying V-Notch Stress Intensity Factor by Digital Gradient Sensing Method
《Acta Mechanica Solida Sinica》2019年第3期378-392,共15页Dedeng Chen Rui Zhang Ran Guo 
the National Basic Research Program of China (under Grant No. 14118683);China Postdoctoral Science Foundation (under Grant No. 2014M552548XB);the National Natural Science Foundation of China (under Grant. No. 11402103).
The stress intensity factor (SIF) at the V-notch tip of a single-edge-notched polymethyl methacrylate plate was measured by the digital gradient sensing (DGS) method. First, the displacement fields near the V-notch ti...
关键词：DIGITAL GRADIENT sensing(DGS) V-NOTCH Angular deflection Stress intensity factor (SIF) Least square METHOD 
裂尖具线性分布约束应力的运动裂纹模型及其解析解
《振动与冲击》2015年第3期183-187,共5页唐雪松 陈旻炜 高常辉 
973项目资助(2015CB057705);国家自然科学基金资助(51378081)
以恒定速度运动的Griffith裂纹解析解为著名的Yoffe解。静止裂纹的条状屈服模型即Dugdale模型,将其推广到运动裂纹模型时发现,当裂纹运动速度跨越Rayliegh波速时,裂纹张开位移COD趋于(∞,且表现为间断。通过在裂尖引入一个约束应力区及...
关键词：运动裂纹 I型裂纹 约束应力 复变函数方法 应力强度因子SIF裂纹张开位移COD 
Numerical Study of Quasi-Static Crack Growth Problems Based on Extended Finite Element Method被引量：1
《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》2014年第6期736-746,共11页郑安兴 罗先启 
the National Basic Research Program(973) of China(No.2011CB013505);the National Natural Science Foundation of China(No.51279100)
The extended finite element method(XFEM) is a numerical method for modeling discontinuities within a classical finite element framework. Based on the algorithm of XFEM, the major factors such as integral domain factor...
关键词：extended finite element method(XFEM) stress intensity factor(SIF) CRACK level set numerical methods 
基于苯并噻二唑和硅芴的一系列红光材料的载流子传输性质及荧光性质(英文)
《物理化学学报》2014年第5期855-865,共11页李岩 邹陆一 任爱民 
supported by the National Natural Science Foundation of China (21173099, 20973078, 20673045);National Key Basic Research Program of China (973) (2013CB834801);Special Funding to Basic Scientific Research Projects for Central Universities, China~~
用密度泛函理论(DFT)方法研究了基于苯并噻二唑和硅芴的一系列聚合物的基态和激发态结构、传输和荧光性质.聚合物的能隙、电离能、电子亲和势、最低激发能以及吸收光谱通过外推法得到.结果表明空穴、电子注入和传输性质受苯并噻唑在硅...
关键词：密度泛函理论 空穴和电子注入 外推法 聚合物 SIF 
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