SIH4

作品数：53被引量：44H指数：2
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CVD淀积SiC薄膜SiH_4、CH_4的分解反应的计算机模拟研究
《计算机与现代化》2000年第3期21-25,40,共6页张洪涛 许辉 徐重阳 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 
采用化学气相淀积 ( CVD)淀积 Si C薄膜中 Si H4、CH4的分解反应方程对 Si H4、CH4的分解产物种属进行数学建模 ,并结合相关热力学数据进行计算机模拟 ,得出 Si H4分解产物中以 Si H2 为最多 ,CH4以 CH2 为最多 ,表明它们在淀积薄膜中...
关键词：化学气相淀积 SIC薄膜 SIH4 CH4 计算机模拟 
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