SIO2栅介质

作品数：3被引量：3H指数：1
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高k栅介质材料的研究进展被引量：2
《半导体技术》2007年第2期97-100,共4页蔡苇 符春林 陈刚 
重庆科技学院科技创新团队建设工程(CX06-9)
综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。
关键词：高K栅介质 SIO2栅介质 等效氧化物 
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