SOIMOS器件

作品数：6被引量：4H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：冯耀兰颜志英陈静罗杰馨王曦更多>>
相关机构：东南大学浙江工业大学中国科学院北京大学更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《浙江工业大学学报》《微电子学》《电子制作》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省教育厅科研计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
深亚微米PD和FD SOIMOS器件热载流子损伤的研究
《微电子学》2003年第5期377-379,共3页颜志英 
浙江省教育厅科研计划项目
　研究了深亚微米PD和FDSOIMOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分...
关键词：深亚微米器件 SOI MOSFET 热截流予效应 器件退化 热截流子效应 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部