SOI技术

作品数：107被引量：81H指数：5
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相关机构：北京大学中国科学院沈阳工业大学西安交通大学更多>>
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多孔硅及其在SOI技术中的应用研究被引量：1
《微电子学与计算机》1995年第2期18-19,共2页黄宜平 李爱珍 汤庭熬 鲍敏杭 
对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ－／ｎ＋／ｎ－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导体压力...
关键词：多孔硅 SOI 压力传感器 
VLSI的SOI技术评价
《微电子学与计算机》1990年第3期47-48,F003,共3页B-Y.Tsaur 石广元 
高性能、成本有效的SOI 技术在抗辐射电子学的短期应用和亚微米VLSI 的长期应用方面是重要的.本文概述了在这些应用方面,SOI 技术超过本体硅技术的各种优点.还讨论了SOI 的CMOS、CJFET 和双极器件结构.评述了束流再结晶和高剂量氧注入...
关键词：VLSI SOI技术 集成电路 
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