SPICE模型

作品数：106被引量：155H指数：6
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一种40nm MOSFET版图相关的波动模型建立
《微电子学》2016年第2期273-276,281,共5页朱诗倩 孙立杰 石艳玲 
针对版图邻近与工艺波动因素对40nm MOSFET器件物理效应变化和性能波动的影响进行分析,提出一种基于BSIM4.5的新型模型,修正原有模型的阈值电压和迁移率机制,有效地实现了版图邻近效应的建模。该模型主要考虑了相邻栅极间距psf和pss,相...
关键词：版图 SPICE模型 MOSFET 
一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化被引量：1
《电子器件》2014年第6期1049-1053,共5页禹玥昀 林宏 赵同林 狄光智 石艳玲 
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究...
关键词：SPICE模型 BSIM3v3模型 热载流子注入(HCI) 可靠性 参数 
高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1561-1565,共5页许佳宜 石艳玲 任铮 胡少坚 万星拱 丁艳芳 赖宗声 
国家自然科学基金(批准号:60676047;60606010);上海市科委启明星计划(批准号:075007033;04QMX1419;07QB14018);上海-应用材料研究与发展基金(批准号:0522)资助项目~~
分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产生的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HV...
关键词：高压双扩散漏MOS晶体管 MESFET 尺寸可缩放宏模型 SPICE模型 
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