TA2O5

作品数：135被引量：377H指数：10
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Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究
《哈尔滨工业大学学报》1994年第4期46-49,共4页武世香 陈士芳 王东红 王喜莲 孙淑芳 
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度、线性范围、线性度、响应时间、滞后、时漂和选择性等方面...
关键词：敏感膜 溅射 氧化钽 半导体 
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