陈士芳

作品数：4被引量：8H指数：2
导出分析报告
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
发文主题：硅片曝光机氧化钽AIN薄膜氮化铝更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊：《哈尔滨工业大学学报》《材料研究学报》《半导体技术》《电子工业专用设备》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
AIN薄膜的成分、相结构和氧化性能被引量：6
《材料研究学报》1995年第4期361-363,共3页夏立芳 王佐诚 孙跃 马欣新 陈士芳 
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）剥层分析方法，研究ＡＩＮ薄膜在大气中加热时的氧化性能．结果表明，常温时ＡＩＮ薄膜稳定；在７００℃加热时，Ａｌ２Ｏ３膜开始增厚．ＡＩＮ被氧化；加热温度愈高，ＡＩＮ被氧化得愈剧烈．
关键词：薄膜 氧化 靶材 气相介质 氮化铝 
Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究
《哈尔滨工业大学学报》1994年第4期46-49,共4页武世香 陈士芳 王东红 王喜莲 孙淑芳 
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度、线性范围、线性度、响应时间、滞后、时漂和选择性等方面...
关键词：敏感膜 溅射 氧化钽 半导体 
一种新型接触式双面对版曝光机被引量：2
《电子工业专用设备》1994年第2期48-51,25,共5页武世香 邹斌 陈士芳 
本文介绍一种新型双面对版曝光机。该机由传统的单面曝光机改装而成，结构简单，工作原理新颖，操作简便，能方便地在任意中间工序实现晶片定向和双面图形对准曝光。双面图形对准偏差可控制在±１０μｍ以内。本文并分析比较了各种双面...
关键词：双面对版 接触 硅片 曝光机 
MCZ-Si与太阳电池
《半导体技术》1993年第4期57-59,53,共4页高元恺 韩爱珍 陈士芳 张洪涌 
本文从阐述MCZ(Magnetic·field·applied CZ)-Si相对于CZ-Si的优点出发,预期用MCZ-Si制作的太阳电池应比CZ-Si太阳电池具有更高的转换效率.事实证明,利用相近原始参数的MCZ-Si和CZ-Si,在相同的工艺条件下,一同制作太阳电池,测试结果表...
关键词：太阳能电池 MCZ-Si 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部