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Two-Dimensional Static Numerical Modeling and Simulation of AlGaN/GaN HEMT: 《Journal of Semiconductors》2006年第2期298-303,共6页薛丽君夏洋刘明王燕邵雪鲁净马杰谢常青余志平; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311907,G200036504);国家自然科学基金(批准号:60236010)资助项目~~; AIGaN/GaN HEMTs are investigated by numerical simulation from the self-consistent solution of Schr6dinger-Poisson-hydrodynamic （HD） systems. The influences of polarization charge and quantum effects are considered i...; 关键词：AIGaN/GaN HEMT 2D modeling and simulation polarization charges quantum effects