ZNMGO薄膜

作品数:11被引量:15H指数:2
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相关机构:浙江大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北京交通大学南开大学更多>>
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立方相ZnMgO的电学特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期167-170,共4页金国芬 吴惠桢 梁军 劳燕锋 余萍 徐天宁 
国家自然科学基金(批准号;60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:2406092)资助项目
在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1~8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MI...
关键词:C-ZnMgO薄膜 MIS结构 介电常数 漏电性能 
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