AFM阳极氧化

作品数:9被引量:3H指数:1
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隧道结TiO_x线宽度对隧穿现象的影响被引量:1
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1453-1457,共5页张超艳 刘庆纲 李敏 匡登峰 郭维廉 张世林 胡小唐 
天津市自然科学基金(批准号:06YFJZJC01000);教育部天津大学南开大学科技合作基金资助项目~~
在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiOx作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度...
关键词:AFM阳极氧化 氧化钛线 隧道结 大气湿度 超高速光导开关 
Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1464-1468,共5页焦正 李珍 吴明红 顾建忠 王德庆 
上海市应用材料研究发展基金 ( No.0 3 18);上海市启明星基金 ( No.0 3 QB14 0 17)资助项目~~
采用 AFM阳极氧化方法 ,在控制 AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下 ,在 Al/Si O2 /Si表面制备了 Al2 O3纳米图形 ,图形最小尺寸为 70 nm .研究了表面吸附水层存在下 AFM阳极氧化机理 .实验结果表明
关键词:纳米图形 纳米线 阳极氧化 AFM 
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