AFM阳极氧化

作品数:9被引量:3H指数:1
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Si表面规则纳米结构AFM阳极氧化研究
《哈尔滨工业大学学报》2008年第7期1055-1058,共4页闫永达 张静 孙涛 梁迎春 董申 
国家自然科学基金资助项目(50575058;50275039)
为了研究如何采用AFM探针阳极氧化方法在大范围内加工高精度纳米结构,采用AFM与精密工作台结合建立了一套新型纳米加工系统.该系统中,采用导电探针静止的工作方式,通过AFM系统对其进行垂直表面方向的调节,使探针跟踪表面以及表面产生氧...
关键词:AFM 阳极氧化  纳米加工 
大气状态下AFM阳极氧化加工重复性的研究
《微纳电子技术》2007年第5期264-267,共4页祁森 刘庆纲 李锁印 张超艳 胡小唐 
天津市自然基金项目资助(06YFJZJC01000)
为实现多隧道结和多岛结构,针对室温大气环境下,利用AFM阳极氧化加工方法,对加工LT-GaAs衬底上的nm级厚度的钛膜的重复性进行了研究。本实验在一定的加工条件下,分别加工了点阵列和线阵列,通过最大残差法计算了它们宽度和高度的重复性...
关键词:加工重复性 原子力显微镜阳极氧化加工 最大残差法 
外加电压对AFM阳极氧化加工的作用机理
《仪表技术与传感器》2007年第3期13-15,共3页蒋洪奎 胡礼广 朱春耕 沈亚强 
浙江省教育厅项目(20060470)资助
利用原子力显微镜AFM进行阳极氧化纳米刻蚀加工的实质是电场作用下发生的电化学反应,外加电压是影响氧化加工的最重要的因素。在氧化加工过程中,外加电压存在着阈值。分析了电压的大小、类型对氧化物的结构和生长速率产生的具体影响,偏...
关键词:原子力显微镜 阳极氧化 纳米刻蚀 电压 
探针对AFM阳极氧化加工的影响研究
《航空精密制造技术》2007年第1期34-36,共3页蒋洪奎 朱春耕 胡礼广 
利用原子力显微镜AFM进行阳极氧化纳米刻蚀加工的实质是电场作用下发生下的电化学反应,探针是影响氧化加工重要的因素。在氧化加工过程中,探针曲率半径的大小和与样品表面的相对位置影响了表面电场的分布,从而影响了氧化物的结构。由于...
关键词:原子力显微镜 阳极氧化 纳米刻蚀 探针 
隧道结TiO_x线宽度对隧穿现象的影响被引量:1
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1453-1457,共5页张超艳 刘庆纲 李敏 匡登峰 郭维廉 张世林 胡小唐 
天津市自然科学基金(批准号:06YFJZJC01000);教育部天津大学南开大学科技合作基金资助项目~~
在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiOx作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度...
关键词:AFM阳极氧化 氧化钛线 隧道结 大气湿度 超高速光导开关 
AFM诱导氧化脉冲宽度与Si纳米加工
《传感技术学报》2006年第05A期1441-1443,1447,共4页刘庆纲 何博涛 张超艳 祁森 张世林 胡小唐 
天津市自然科学基金资助(06YFJZJC01000);教育部天津大学南开大学科技合作项目的资助
通过对利用原子力显微镜(AFM)阳极诱导氧化作用下在硅表面生成纳米氧化结构的特征的讨论,发现通过改变加工时的偏置电压和脉冲宽度,氧化点高度和宽度与所施加偏置电压呈对数关系,氧化点高度与宽度与脉冲宽度呈指数关系;同时发现在环境...
关键词:AFM阳极氧化 脉冲宽度 偏置电压 大气湿度 
大气状态下AFM阳极氧化加工Si的研究被引量:1
《压电与声光》2006年第2期209-211,共3页宋晓辉 李艳宁 匡登峰 刘庆纲 胡小唐 
教育部天津大学南开大学科技合作基金资助项目
Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础。通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si(100)的实验得到凸出的n型Si(100)氧化物高度和偏置电压成线性关系,与针尖扫描速度成负对数关系,并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理...
关键词:AFM阳极氧化 Si氧化线 偏置电压 扫描速度 
脉冲时间对AFM阳极诱导氧化加工的影响被引量:1
《纳米技术与精密工程》2006年第1期79-82,共4页李敏 刘庆纲 匡登峰 郭维廉 张世林 张珊 胡小唐 
教育部天津大学南开大学科技合作项目;天津市自然科学基金资助项目(013602111).
通过改变AFM阳极诱导氧化加工点结构时的偏压和脉冲时间,发现氧化点高度和宽度与所施加偏压呈对数关系,并且发现氧化点高度与宽度与脉冲时间呈指数关系.同时,在环境温度和氧气浓度保持不变的条件下通过改变加工中的相对大气湿度,研究...
关键词:AFM阳极氧化 脉冲时间 偏压 
Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1464-1468,共5页焦正 李珍 吴明红 顾建忠 王德庆 
上海市应用材料研究发展基金 ( No.0 3 18);上海市启明星基金 ( No.0 3 QB14 0 17)资助项目~~
采用 AFM阳极氧化方法 ,在控制 AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下 ,在 Al/Si O2 /Si表面制备了 Al2 O3纳米图形 ,图形最小尺寸为 70 nm .研究了表面吸附水层存在下 AFM阳极氧化机理 .实验结果表明
关键词:纳米图形 纳米线 阳极氧化 AFM 
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