ALGAN/GANHEMT

作品数：10被引量：22H指数：3
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毫米波AlGaN/GaNHEMT器件物理模型仿真被引量：1
《微波学报》2014年第S1期48-50,共3页董若岩 徐跃杭 谢俊 徐锐敏 
本文利用器件仿真软件Silvaco Altlas建立了考虑表面态和陷阱效应的微波Al Ga N/Ga N HEMT器件物理模型。针对毫米波Ga N HEMT器件短栅长引起的短沟道效应,本文采用了更精确的能量平衡模型。仿真结果与实测结果取得了良好的一致性。
关键词：GAN HEMT 物理模型 表面态 陷阱 
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