云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- BSIM3V3

BSIM3V3: 作品数：10被引量：13H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：谷峰刘军孙玲玲刘志宏李海更多>>; 相关机构：清华大学杭州电子科技大学复旦大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《电子世界》《微电子学与计算机》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金浙江省重大国际科技合作项目浙江省科技攻关计划国家高技术研究发展计划更多>>

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深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第11期2169-2174,共6页李康郝跃刘红侠方建平薛鸿民; 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630);国家自然科学基金(批准号:60206006)资助项目~~; 研究了深亚微米pMOS器件HCI(hotcarrierinjection)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件...; 关键词：HCI 时变栅电流模型 BSIM3V3 可靠性仿真