BSIM3V3

作品数：10被引量：13H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：谷峰刘军孙玲玲刘志宏李海更多>>
相关机构：清华大学杭州电子科技大学复旦大学中国科学院更多>>
相关期刊：《电子世界》《微电子学与计算机》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
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BSIM3v3模型关键参数提取的研究被引量：1
《微电子学与计算机》2008年第7期116-118,122,共4页李盛峰 李斌 郑学仁 
BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放...
关键词：MOSFET BSIM3V3 参数提取 HSPICE 运放 
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