CL2/AR

作品数：5被引量：20H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李向阳陈亮龚海梅赵德刚亢勇更多>>
相关机构：中国科学院上海大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《半导体光电》《Science China(Technological Sciences)》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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Nonselective etching of GaN/AlGaN heterostructures by Cl2/Ar/BCl3 inductively coupled plasmas被引量：6
《Science China(Technological Sciences)》2004年第2期150-158,共9页HAN Yanjun XUE Song WU Tong WU Zhen GUO Wenping LUO Yi HAO Zhibiao SUN Changzheng 
the Foundation for Key Projects of Basic Research (TG2000036601);the '863' High Tech Foundation (2002AA31119Z, 2001AA312190); the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60244001).
A systematic study of the nonselective and smooth etching of GaN/AIGaN het-erostructures was performed using C12/Ar/BCI3 inductively coupled plasmas (ICR).Nonselective etching can be realized by adjusting the BCI3 rat...
关键词：GAN Al0.28Ga0.72N ICP Cl2/Ar/BCl3 nonselective etching 
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