CMOS带隙基准电压源

作品数:35被引量:104H指数:6
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相关机构:中国科学院微电子研究所东南大学厦门大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊:《电子技术应用》《重庆邮电大学学报(自然科学版)》《电子与封装》《科技资讯》更多>>
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一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计被引量:2
《现代电子技术》2007年第22期169-171,共3页李娟 常昌远 李弦 
运用带隙基准的基本原理,采用0.6μm的CMOS工艺,对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究,并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示:电源电压最低可为1.2V,在-20~100℃温...
关键词:CMOS带隙基准电压源 高阶曲率补偿 低温度系数 低电源电压 
CMOS带隙基准电压源中的曲率校正方法被引量:3
《现代电子技术》2006年第5期113-116,共4页史侃俊 许维胜 余有灵 
基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS带隙基准电压源中所广泛采用的几种曲率校正方法。给出并分析了一些近年来采用曲率校正方法...
关键词:CMOS 带隙基准源 曲率校正 集成电路 
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