云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- CMOS带隙基准电压源

CMOS带隙基准电压源: 作品数：35被引量：104H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：范涛冯勇建袁国顺李红张萌更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所东南大学厦门大学西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《电子技术应用》《重庆邮电大学学报（自然科学版）》《电子与封装》《科技资讯》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金甘肃省科技支撑计划上海市科委国际合作基金更多>>

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一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源(英文): 《哈尔滨商业大学学报（自然科学版）》2013年第4期443-447,465,共6页周前能段晓忠李红娟; 重庆市自然科学基金项目(cstcjjA40011);重庆市教委科学技术研究项目(KJ120503,KJ120533);重庆邮电大学博士启动基金项目(A2010-09); 设计了一种采用前调整器的高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,分别对有前调整器与没有前调整器的CMOS带隙基准电压源进行了设计与仿真验证.仿真结果显示,采用前调整器的带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz...; 关键词：带隙基准电源抑制比前调整器