CMOS带隙基准源

作品数：58被引量：185H指数：7
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一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计被引量：2
《现代电子技术》2010年第14期7-9,13,共4页牛宗超 杨发顺 丁召 王基石 马奎 张正平 
科技部支撑项目子专题:IPTV服务系统建设与示范(2008BADB6B02-06);省长基金:基于IPTV的农村信息化服务平台建设及应用示范贵州省科技攻关资助项目(黔省专合字(2008)3号);贵州省工业攻关计划项目:高精度低漂移集成电压基准源研究与试制(黔科合丁字[2008]3033);贵州大学研究生创新基金资助(省研理工2009003);贵州省农业攻关资助项目:面向贵州农村信息化远程多媒体视频点播关键技术研究(黔科合丁字[2009]3051)
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温...
关键词：带隙基准源 温度系数 动态反馈补偿 CMOS 
一种高精度的CMOS带隙基准源被引量：1
《现代电子技术》2007年第16期190-192,共3页程仕意 沈少武 徐斌富 
设计了一种二阶温度补偿带隙基准源,为了提高电源抑制比,设计中采用了与全局电压保持相对无关的局部电压作为带隙核心的工作电压,并且使用PN结串联的结构,以减小运放失调电压的影响。整个电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,使用HSpice...
关键词：带隙基准 温度补偿 温度系数 电源抑制 失调电压 
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