CMOS低噪声放大器

作品数：74被引量：135H指数：5
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1V高线性度2.4GHz CMOS低噪声放大器被引量：3
《电路与系统学报》2009年第4期97-100,共4页徐跃 杨英强 
江苏省教育厅自然科学基金资助项目(TJ206012);南京邮电大学科学基金资助项目(NY207087)
讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术。使用Chartered 0.25μmRF CMOS工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA。后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,...
关键词：低噪声放大器 噪声系数 低电压 折叠式共源共栅 线性度提高 
运用级间并联电感的级联CMOS低噪声放大器的优化设计
《电路与系统学报》2007年第5期88-91,共4页李霖 楼东武 
本文介绍了一种运用级间并联电感优化CMOS低噪声放大器的设计方法。传统的级联低噪声放大器可以从两级级联放大器的角度出发,视为共源级和共栅级的级联,由于共栅极的极好的隔离性,两级放大器可以分别设计。理论分析表明:在共源极和共栅...
关键词：低噪放 级联 级间电感 功率增益 噪声 
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