CMOS基准电压源

作品数：22被引量：37H指数：3
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一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源被引量：1
《微电子学与计算机》2015年第7期152-156,共5页段吉海 邓东宇 徐卫林 韦保林 
国家自然科学基金(61161003;61264001;61166004);广西自然科学基金项目(2013GXNSFAA019333)
提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源.电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成;利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,减小了功耗和芯片面积,消除了MOS管体效应...
关键词：电压基准 极低功耗 无电阻 无Bipolar晶体管 
基于LED驱动芯片的低温漂CMOS基准电压源被引量：4
《微电子学与计算机》2012年第5期138-142,共5页夏晓娟 张洪俞 顾巍 
江苏省高校自然科学基金(10KJB510015);南京邮电大学引进人才科研启动基金(NY210075);南京邮电大学教学改革研究项目(JG03311JX24)
设计了一种低温漂CMOS基准电压源,应用于LED驱动芯片中.采用基本的带隙基准电压源原理,并对结构进行了改进,减小了失调电压对输出的影响,同时可以提供多路输出,满足LED驱动芯片中多个基准电压的需求.基于CSMC 0.5μm CMOS工艺对所设计...
关键词：LED驱动 基准电压 失调电压 多电路输出 
一种低成本高精度CMOS基准电压源设计被引量：3
《微电子学与计算机》2010年第5期121-124,共4页肖海鹏 马卓 张民选 张正旭 
国家自然科学基金项目(60873016);国家"八六三"计划项目(2008AA01Z149)
利用电子迁移率和MOS管阈值电压对温度的变化呈反向趋势的原理,基于0.13μm标准CMOS工艺,设计实现了一款非带隙的基准源电路.Hspice仿真显示该基准能提供0.715V基准输出,并可以根据需要在0.4V～1V范围内进行调节.在-25℃～125℃范围内,...
关键词：CMOS基准电压源 阈值电压 电子迁移率 
低温漂CMOS基准电压源的设计与试制
《微电子学与计算机》1994年第6期11-14,共4页弓小武 刘玉书 
本文介绍一种采用５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺制造的的集成基准电压源，在－２０℃到１００℃范围内其输出电压稳定性可达５０ｐｐｍ／℃。它的基本工作原理是建立在对双极晶体管ＶＢＥ的负温度系数以正温度系数来补偿，从而获得温度稳定的...
关键词：集成电路 CMOS 基准电压源 设计 
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