CMOS基准电压源

作品数：22被引量：37H指数：3
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无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源被引量：1
《电子设计工程》2010年第3期84-86,共3页管佳伟 吴虹 孙伟锋 
结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于SMIC0．13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在-5-90℃的范围内。输出电压的温度系数为5pp...
关键词：基准电压源 温度补偿 亚阈值区 载流子迁移率 亚阈值斜率 
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