CMOS射频

作品数：58被引量：97H指数：5
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相关机构：清华大学中国科学院大学西安电子科技大学哈尔滨工业大学更多>>
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高线性度CMOS射频AB类功率放大器设计被引量：2
《微电子学与计算机》2014年第6期145-148,共4页陈晓飞 沈军 张力 林双喜 
国家自然科学基金项目(61076030)
CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器...
关键词：AB类 射频功率放大器 CMOS 线性度 效率 
0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计被引量：1
《微电子学与计算机》2012年第10期37-41,46,共6页张弘 梁元 
中央高校基本科研业务费(K50510250010)
本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz...
关键词：CMOS射频集成电路 超宽带低噪声放大器 双通道 
一种高线性度2.4GHz CMOS LC压控振荡器被引量：1
《微电子学与计算机》2007年第7期176-179,共4页张鸿 陈贵灿 
西安市科技计划项目(GG04032)
对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p+/n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1....
关键词：LC压控振荡器 CMOS射频集成电路 调节线性度 相噪声 
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