CMOS数字电路

作品数:19被引量:26H指数:2
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相关机构:清华大学电子科技大学西安电子科技大学中国科学院更多>>
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中间电平对CMOS数字电路的影响被引量:1
《电子产品可靠性与环境试验》2013年第6期13-16,共4页李兴鸿 赵俊萍 赵春荣 林建京 梁云 
很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏。转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲...
关键词:互补金属氧化物半导体 数字集成电路 中间电平 大电流 影响 
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