DOHERTY

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覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS
《半导体信息》2015年第6期4-4,共1页赵佶 
国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA两个频段的大功率330W LDMOS,器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构,载波功...
关键词：双频段 射频功率放大器 半导体器件 LDMOS 非对称 英飞凌 制造厂商 DOHERTY PUSH 板面积 
NXP的LDMOS市场成长四倍,技术领先对手是秘诀
《半导体信息》2011年第3期38-38,共1页孙再吉 
2009年NXP在基站LDM()S功率放大器领域销售额实现了4—5倍的增长,中国市场份额由原来的12%提升至2009年的35%(iSuppli最新数据)。而在新的设计项目中,NXP在中国最大的两家通信厂商份额接近50%,超过最强劲的竞争对手飞思卡尔半导体。
关键词：通信厂商 LDMOS NXP 首款 DOHERTY 功率密度 功率效率 技术优势 射频器件 输出电容 
恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率
《半导体信息》2008年第5期19-19,共1页江兴 
关键词：LDMOS 功率效率 恩智浦 功率晶体管 横向扩散 输出电容 DOHERTY 首款 功率密度 降低成本 
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