DX中心

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n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的DX中心
《微电子学》1998年第6期412-415,共4页刘诺 谢孟贤 
ＤＸ中心是一种由施主（Ｄ）和缺陷（Ｘ）构成的复合体，存在于ｎ型ＡｌＧａＡｓ等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体之中。对ＤＸ中心的特点及其对器件的影响进行了分析，概述了弛豫模型和混晶场模型，同时，指出了这种缺陷的新应用。
关键词：化合物半导体 DX中心 弛豫模型 混晶场模型 
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