FD-SOI

作品数：44被引量：21H指数：3
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28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究被引量：4
《微电子学与计算机》2021年第12期75-79,共5页张颢译 曾传滨 李晓静 闫薇薇 倪涛 高林春 罗家俊 赵发展 韩郑生 
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体...
关键词：高温器件 超薄体FDSOI 输出电流 载流子迁移率 
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