GAASFET

作品数：24被引量：6H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李浩模蒋敬旗高建军高学邦李拂晓更多>>
相关机构：南京电子器件研究所电子工业部西安电子科技大学北京理工大学更多>>
相关期刊：《火控雷达技术》《福州大学学报（自然科学版）》《卫星与网络》《电子元件》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=核电子学与探测技术x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaAsFET辐射退化研究
《核电子学与探测技术》1995年第1期28-31,共4页娄书礼 陶有迁 
低噪声ＧａＡｓＦＥＴ和功率ＧａＡＳＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效。直流偏置状态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流Ｉ＿（ＤＳＳ）的退化降低，据此提出了Ｉ＿（ＤＳＳ）退化失效与快中子注量ф＿ｎ之间的解析关系...
关键词：辐射试验 退化失效 中子注量 砷化镓器件 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部