娄书礼

作品数：5被引量：2H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：可靠性EMS系统厚膜电路电磁兼容试验电磁兼容更多>>
发文领域：电子电信核科学技术更多>>
发文期刊：《核电子学与探测技术》《光电子技术》《固体电子学研究与进展》《电子产品可靠性与环境试验》更多>>
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电磁兼容试验及试验方法研究被引量：1
《光电子技术》1999年第3期231-235,共5页陶有迁 娄书礼 
介绍了电磁敏感度（ＥＭＳ）试验系统的筹建及自制设备的研制过程， 对试验方法进行了一些探讨。
关键词：电磁兼容 EMS系统 试验 
振荡器的高可靠性研究
《电子产品可靠性与环境试验》1996年第2期54-56,共3页娄书礼 
1 前言随机抽取了5部x波段GaAsFET高Q介质谐振振荡器进行额定工作寿命试验,连续工作了4年多而无一失效;然后接着进行室温条件下非工作状态贮存寿命试验,历经7年未发现实质性恶变,统计数据证实该振荡器的可靠性是相当高的。本文给出了试...
关键词：振荡器 可靠性 测试 
GaAsFET辐射退化研究
《核电子学与探测技术》1995年第1期28-31,共4页娄书礼 陶有迁 
低噪声ＧａＡｓＦＥＴ和功率ＧａＡＳＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效。直流偏置状态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流Ｉ＿（ＤＳＳ）的退化降低，据此提出了Ｉ＿（ＤＳＳ）退化失效与快中子注量ф＿ｎ之间的解析关系...
关键词：辐射试验 退化失效 中子注量 砷化镓器件 
微波器件失效率快速试验方法研究
《固体电子学研究与进展》1993年第4期367-373,共7页娄书礼 龚朝阳 金毓铨 苏德青 
介绍了微波低噪声ＧａＡｓＦＥＴ恒定应力加速寿命试验结果，沟道温度Ｔｃｈ为１４５℃时，平均寿命ＭＴＴＦ为９．６４×１０＾６ｈ，最主要的失效模式是源漏饱和电流ＩＤｓｓ退化降低。建立了表征ＧａＡｓＦＥＴ稳定性的敏感参数ＩＤ...
关键词：可靠性 失效分析 微波器件 试验法 
高温工作寿命试验技术研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》1993年第2期179-181,共3页娄书礼 
介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行。并获得了微波低噪声GaAs FET在室温条件下的平均失效率已低...
关键词：可靠性评价 厚膜电路 导电胶 
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