GAAS器件

作品数：37被引量：44H指数：3
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GaAs器件和MMIC的失效分析被引量：17
《失效分析与预防》2010年第3期187-192,共6页崔晓英 黄云 恩云飞 
国防科技重点实验室基金项目(JS0926270)
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧...
关键词：砷化镓器件 单片微波集成电路 失效模式和机理 失效分析 
GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展被引量：2
《固体电子学研究与进展》1995年第4期381-390,共10页来萍 
介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。
关键词：可靠性 失效模式 失效机理 砷化镓 半导体 
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