GAN/ALXGA1-XN

作品数：5被引量：12H指数：2
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相关领域：理学电子电信更多>>
相关作者：赵凤岐闫祖威乌仁图雅王宗篪郑冬梅更多>>
相关机构：内蒙古大学内蒙古师范大学内蒙古农业大学武汉大学更多>>
相关期刊：《河北师范大学学报（自然科学版）》《Journal of Rare Earths》《Chinese Physics B》《发光学报》更多>>
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Binding energies of impurity states in strained wurtzite GaN/Al_xGa_(1-x)N heterojunctions with finitely thick potential barriers
《Chinese Physics B》2014年第6期440-445,共6页冯振宇 班士良 朱俊 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.60966001);the Key Project of the Natural Science Foundation of Inner Mongolia Autonomous Region,China(Grant Nos.20080404Zd02 and 2013ZD02)
Ground state binding energies of donor impurities in a strained wurtzite GaN/AlxGal_xN heterojunction with a po- tential barrier of finite thickness are investigated using a variational approach combined with a numeri...
关键词：WURTZITE GaN/AlxGa1-xN heterojunction impurity state binding energy 
Pressure influence on the Stark effect of impurity states in a strained wurtzite GaN/Al_xGa_(1-x)N heterojunction被引量：4
《Chinese Physics B》2009年第10期4449-4455,共7页张敏 班士良 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60566002)
A variational method is adopted to investigate the properties of shallow impurity states near the interface in a free strained wurtzite GaN/AlxGa1-xN heterojunction under hydrostatic pressure and external electric fie...
关键词：GAN/ALXGA1-XN strain PRESSURE Stark effect binding energy of impurity state 
杂质对柱形量子点系统束缚能的影响被引量：4
《河北师范大学学报（自然科学版）》2009年第2期193-197,共5页郑冬梅 王宗篪 
三明学院科学研究发展基金项目(A0801/G);三明学院物理学优势学科建设项目(YSXK0602)
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系,讨论了杂质电子的束缚能随量子点的主要结构参数(量子点高度L和量子...
关键词：GAN/ALXGA1-XN 柱形量子点 杂质 束缚能 
纤锌矿GaN／AlxGa1-xN量子阱中极化子能量被引量：5
《发光学报》2008年第1期10-14,共5页乌仁图雅 德布乐夫 赵凤岐 
国家自然科学基金(10364003);内蒙古师范大学科研基金(QN005026)资助项目
采用LLP变分方法研究了纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱材料中极化子的能级,给出极化子基态能量、第一激发态能量和第一激发态到基态的跃迁能量与量子阱宽度和量子阱深度变化的函数关系。研究结果表明,极化子基态能量、第一激发态能量和跃迁...
关键词：氮化物量子阱 极化子 基态能量 跃迁能量 
Growth of GaN/AlxGa1-xN (x=0.65) Superlattices on Si(111) Substrates Using RF-MBE
《Journal of Rare Earths》2006年第z1期1-3,共3页Armando S Somintac Tomo Kikuchi Michiya Odawara Takashi Udagawa Motoi Wada Tadashi Ohachi 
Superlattices with varying GaN well widths (2, 3, 6, 9 nm) and fixed AlGaN barrier (8 nm) with high Al-content (x=0.65) were grown. Streaky RHEED patterns indicated 2D growth mode for the superlattices. XRD measuremen...
关键词：molecular beam epitaxy SUPERLATTICES GaN AlGaN BUILT-IN electric field STARK effect 
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