GAN异质结构

作品数：10被引量：25H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：沈波许福军唐宁张国义秦志新更多>>
相关机构：北京大学南京大学电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：《半导体技术》《核技术》《稀有金属》《微纳电子技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂
《半导体技术》2008年第S1期147-149,共3页唐宁 沈波 韩奎 卢芳超 许福军 秦志新 张国义 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB604908;2006CB921607);国家自然科学基金(60806042;10774001;60736033;60628402);教育部博士点基金(200800011021;20060001018);北京市自然科学基金(4062017)
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了...
关键词：AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 自旋 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部