云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAN异质结构

GAN异质结构: 作品数：10被引量：25H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：沈波许福军唐宁张国义秦志新更多>>; 相关机构：北京大学南京大学电子科技大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《核技术》《稀有金属》《微纳电子技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>

新型GaN/Ga2O3 HEMT以及Ga2O3/GaN异质结构的外延生长: 《半导体信息》2020年第3期14-16,共3页; 来自德国和意大利的研究人员一直在探索在蓝宝石衬底上生长ε-多型氧化镓(ε-Ga2O3)和氮化镓(GaN)集合的外延生长方法,以期将其应用在高电子迁移率晶体管(HEMT)中(Stefano Leone等人,Journal of Crystal Growth,vol534,p125511,2020)。; 关键词：GA2O3 外延生长异质结构氧化镓 GAN HEMT 蓝宝石衬底 Crystal

正向偏置(p)SiC/(n)GaN异质结构稳态导电特性的模拟: 《温州大学学报（自然科学版）》2019年第4期36-46,共11页张锦涛赵少云韦文生郑君鼎何明昌; 国家自然科学基金项目(61774112); 本文利用MATLAB数值模拟了不同晶相(6H、4H、3C)p型掺杂SiC与六方相n型掺杂GaN构成异质结构的正向稳态导电特性.讨论了(p)SiC/(n)GaN异质结构模型,分析了正向偏压、温度对异质结构内载流子分布的影响,考虑了异质结构内载流子复合率随正...; 关键词：(p)SiC/(n)GaN异质结构载流子传导电容-电压特征电流-电压特征模拟

背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响被引量：2: 《微纳电子技术》2014年第6期359-365,共7页甘天胜李毅刘斌孔月婵陈敦军谢自力修向前陈鹏陈辰韩平张荣; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A103);国家自然科学基金资助项目(60990311;61274003;61176063);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-11-0229);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011010;BY201377;BK2010385;BE2011132);重点实验室基金资助项目(9140C140102120C14);江苏省高校优势学科建设工程资助项目; 利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓...; 关键词：INALN GAN异质结构背势垒插入层二维电子气(2DEG) 能带结构电子迁移率

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质: 《微纳电子技术》2009年第2期65-69,共5页唐宁沈波韩奎; 国家重点基础研究发展规划项目(2006CB604908;2006CB921607);国家自然科学基金(60806042;10774001;60736033;60628402);教育部博士点基金(20060001018);北京市自然科学基金(4062017); Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯...; 关键词：Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气自旋磁输运

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂: 《半导体技术》2008年第S1期147-149,共3页唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义; 国家"973"重点基础研究项目(2006CB604908;2006CB921607);国家自然科学基金(60806042;10774001;60736033;60628402);教育部博士点基金(200800011021;20060001018);北京市自然科学基金(4062017); 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了...; 关键词：AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气自旋

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应: 《稀有金属》2004年第3期480-483,共4页唐宁沈波陈敦军桂永胜仇志军郑有炓; 国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 683 ) ;国家高科技研究发展计划 (2 0 0 2AA3 0 53 0 4) ;江苏省创新人才基金 (BK2 0 0 3 411) ;国家自然科学基金(60 13 60 2 0 ) ;国家杰出青年基金(60 3 2 5 413 );教育部博士点基金 ( 2 0 0 2 0 2 840 2 3 )资助项目; 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结二维电子气 ( 2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到了磁致子带间散射 (MIS)效应。在极低温下观察到了表征两个子带被 2DEG占据的双周期舒勃尼科夫德哈斯 (SdH...; 关键词：AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气磁致子带间散射

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响被引量：21: 《物理学报》2003年第7期1756-1760,共5页孔月婵郑有炓储荣明顾书林; 国家自然科学基金 (批准号 :60 13 60 2 0 );国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 )资助的课题~~; 通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,研究了Al组分对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气性质的影响 ,给出了AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气分布和面密度 ,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1 -xN势垒层中Al组分的...; 关键词：AlxGal-xN/GaN异质结构铝组分二维电子气自发极化压电极化能带偏移半导体氮镓铝化合物氮化镓

调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变被引量：1: 《核技术》2002年第10期799-804,共6页谭伟石沙昊沈波蔡宏灵吴小山蒋树声郑文莉贾全杰姜晓明; 国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金 (6 0 136 0 2 0;6 9976 0 14等 );国家高科技 (86 3)发展计划资助; 用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,...; 关键词：调制掺杂微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构高分辨X射线衍射微结构驰豫线模型半导体材料氮化镓铝

Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 《发光学报》2001年第S1期57-60,共4页沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...; 关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文): 《发光学报》2001年第z1期57-60,共4页沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...; 关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

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